casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H812R4BZA
Número da peça de fabricante | H812R4BZA |
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Número da peça futura | FT-H812R4BZA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H812R4BZA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 12.4 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H812R4BZA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H812R4BZA-FT |
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XC6SLX45T-3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517C3N
Intel
10M16SCE144A7G
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG144I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F35E3SG
Intel
EP2A70F1020C7
Intel