casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H812R1DYA
Número da peça de fabricante | H812R1DYA |
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Número da peça futura | FT-H812R1DYA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H812R1DYA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 12.1 Ohms |
Tolerância | ±0.5% |
Potência (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±15ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H812R1DYA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H812R1DYA-FT |
H493R1BCA
TE Connectivity Passive Product
H493R1BZA
TE Connectivity Passive Product
H4953RBCA
TE Connectivity Passive Product
H4953RBZA
TE Connectivity Passive Product
H495R3BCA
TE Connectivity Passive Product
H495R3BZA
TE Connectivity Passive Product
H4976RBCA
TE Connectivity Passive Product
H4976RBZA
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H497R6BCA
TE Connectivity Passive Product
H497R6BZA
TE Connectivity Passive Product
LCMXO640E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XA7A75T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQG176
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C3N
Intel
A42MX09-2PQ160I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50BC356-4
Intel
EP1C12F324C7
Intel
EPF10K50SQC240-3
Intel