casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H812R1DYA
Número da peça de fabricante | H812R1DYA |
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Número da peça futura | FT-H812R1DYA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H812R1DYA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 12.1 Ohms |
Tolerância | ±0.5% |
Potência (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±15ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H812R1DYA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H812R1DYA-FT |
H493R1BCA
TE Connectivity Passive Product
H493R1BZA
TE Connectivity Passive Product
H4953RBCA
TE Connectivity Passive Product
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TE Connectivity Passive Product
H497R6BZA
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16U484A7N
Intel
EP2AGX45DF25C4N
Intel
10AX048K2F35E2LG
Intel
5SGSMD8N3F45I4
Intel
XC5VLX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP1K30QC208-2
Intel