casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H811RFDA
Número da peça de fabricante | H811RFDA |
---|---|
Número da peça futura | FT-H811RFDA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H811RFDA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 11 Ohms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H811RFDA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H811RFDA-FT |
H810KFDA
TE Connectivity Passive Product
H810KFYA
TE Connectivity Passive Product
H810KFZA
TE Connectivity Passive Product
H810R2BCA
TE Connectivity Passive Product
H810R2BDA
TE Connectivity Passive Product
H810R2BYA
TE Connectivity Passive Product
H810R2BZA
TE Connectivity Passive Product
H810R5BCA
TE Connectivity Passive Product
H810R5BDA
TE Connectivity Passive Product
H810R5BYA
TE Connectivity Passive Product
A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
EP4S100G5F45I1
Intel
XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel