casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H811RDZA
Número da peça de fabricante | H811RDZA |
---|---|
Número da peça futura | FT-H811RDZA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H811RDZA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 11 Ohms |
Tolerância | ±0.5% |
Potência (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H811RDZA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H811RDZA-FT |
H810KDZA
TE Connectivity Passive Product
H810KFCA
TE Connectivity Passive Product
H810KFDA
TE Connectivity Passive Product
H810KFYA
TE Connectivity Passive Product
H810KFZA
TE Connectivity Passive Product
H810R2BCA
TE Connectivity Passive Product
H810R2BDA
TE Connectivity Passive Product
H810R2BYA
TE Connectivity Passive Product
H810R2BZA
TE Connectivity Passive Product
H810R5BCA
TE Connectivity Passive Product
XC2V250-5FGG456I
Xilinx Inc.
5SGSMD4E3H29C2N
Intel
5SGXEB5R3F43I3L
Intel
5SGXEB6R3F43C2
Intel
5SGXMA3K2F35I2N
Intel
XCS30XL-4BG256C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400E-5MG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60EBC356-1X
Intel
EP20K60EBC356-2X
Intel