casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H811RBZA
Número da peça de fabricante | H811RBZA |
---|---|
Número da peça futura | FT-H811RBZA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H811RBZA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 11 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H811RBZA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H811RBZA-FT |
H810KBZA
TE Connectivity Passive Product
H810KDCA
TE Connectivity Passive Product
H810KDYA
TE Connectivity Passive Product
H810KDZA
TE Connectivity Passive Product
H810KFCA
TE Connectivity Passive Product
H810KFDA
TE Connectivity Passive Product
H810KFYA
TE Connectivity Passive Product
H810KFZA
TE Connectivity Passive Product
H810R2BCA
TE Connectivity Passive Product
H810R2BDA
TE Connectivity Passive Product
XC4008E-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX16A-FG256M
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
XC5VLX155-3FFG1153C
Xilinx Inc.
XC4VLX100-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation