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Renesas Electronics America H7N1002LS-E

Name: H7N1002LS-E
Brand: Renesas Electronics America
SKU: H7N1002LS-E
Availability: InStock
Rating: 4.5 (273 reviews)

Número da peça MFG: H7N1002LS-E

Quantidade disponível: 68190 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Renesas Electronics America

Descrição breve: - MOSFET N-CH 100V LDPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: H7N1002LS-E.pdf

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H7N1002LS-E Especificações

Número da peça de fabricante	H7N1002LS-E
Número da peça futura	FT-H7N1002LS-E
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
H7N1002LS-E Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	75A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	155nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	9700pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	100W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	4-LDPAK
Pacote / caso	SC-83
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
H7N1002LS-E Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	H7N1002LS-E-FT

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