casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H4P422RDZA
Número da peça de fabricante | H4P422RDZA |
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Número da peça futura | FT-H4P422RDZA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H4P422RDZA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 422 Ohms |
Tolerância | ±0.5% |
Potência (Watts) | 1W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H4P422RDZA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H4P422RDZA-FT |
H4P300KFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P300KFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P300RDZA
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H4P301KDCA
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H4P30K1DCA
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XC2S100-6TQ144C
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LFEC1E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672I8N
Intel
A40MX04-1PLG44M
Microsemi Corporation
XC7K160T-1FBG484I
Xilinx Inc.
XC7VX330T-2FF1761C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-3FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
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EP20K400CB652C9ES
Intel