casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H4P30R1DZA
Número da peça de fabricante | H4P30R1DZA |
---|---|
Número da peça futura | FT-H4P30R1DZA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H4P30R1DZA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 30.1 Ohms |
Tolerância | ±0.5% |
Potência (Watts) | 1W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H4P30R1DZA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H4P30R1DZA-FT |
H4P226RDZA
TE Connectivity Passive Product
H4P22K6DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P22K6DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P22KDZA
TE Connectivity Passive Product
H4P22KFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P22R6DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P22R6DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P22RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P237KDCA
TE Connectivity Passive Product
H4P237KDZA
TE Connectivity Passive Product
A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F43C2N
Intel
EP3SL340F1760I4LN
Intel
EP4CGX22BF14I7N
Intel
XC7VX550T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
LFEC6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200QI208-3
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel