casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H4P2M2FZA
Número da peça de fabricante | H4P2M2FZA |
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Número da peça futura | FT-H4P2M2FZA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H4P2M2FZA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 2.2 MOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 1W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H4P2M2FZA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H4P2M2FZA-FT |
SBCHE4R47J
TE Connectivity Passive Product
MPR20C100RJ
TE Connectivity Passive Product
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LCMXO1200C-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA6SLX9-3FTG256I
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XC2V40-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S500E-4PQG208C
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5SGSED8K1F40I2N
Intel
EP4S100G5F45I3N
Intel
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Xilinx Inc.
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
EP2AGX190EF29I5G
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EP3SE80F780I4
Intel