casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H4P1M0FZA
Número da peça de fabricante | H4P1M0FZA |
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Número da peça futura | FT-H4P1M0FZA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H4P1M0FZA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 1 MOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 1W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H4P1M0FZA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H4P1M0FZA-FT |
H4P15KFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P15KFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P15R4DCA
TE Connectivity Passive Product
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H4P15RFCA
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H4P15RFZA
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H4P162KDCA
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H4P162KDZA
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H4P162RDCA
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A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
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EP4CE10E22C8
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EP4S100G5F45I1
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XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
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AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
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