casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H4P1M0DZA
Número da peça de fabricante | H4P1M0DZA |
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Número da peça futura | FT-H4P1M0DZA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H4P1M0DZA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 1 MOhms |
Tolerância | ±0.5% |
Potência (Watts) | 1W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H4P1M0DZA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H4P1M0DZA-FT |
H4P15KDZA
TE Connectivity Passive Product
H4P15KFCA
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XC3S250E-4FTG256I
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Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K130EBC600-1
Intel
5SGXMA5K2F35C2N
Intel
XC5VLX110T-1FF1136C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144M
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45I2LG
Intel
5SGSMD4H2F35C2LN
Intel