casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H419R6BZA
Número da peça de fabricante | H419R6BZA |
---|---|
Número da peça futura | FT-H419R6BZA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H419R6BZA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 19.6 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H419R6BZA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H419R6BZA-FT |
H4178RBDA
TE Connectivity Passive Product
H4178RBYA
TE Connectivity Passive Product
H4178RBZA
TE Connectivity Passive Product
H4178RDYA
TE Connectivity Passive Product
H417K4BCA
TE Connectivity Passive Product
H417K4BDA
TE Connectivity Passive Product
H417K4BYA
TE Connectivity Passive Product
H417K4BZA
TE Connectivity Passive Product
H417K8BCA
TE Connectivity Passive Product
H417K8BDA
TE Connectivity Passive Product
M1A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
MPF100T-FCG484E
Microsemi Corporation
10M16SCE144C7G
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC6SLX25T-2CSG324I
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation