casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H419R1BYA
Número da peça de fabricante | H419R1BYA |
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Número da peça futura | FT-H419R1BYA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H419R1BYA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 19.1 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±15ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H419R1BYA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H419R1BYA-FT |
H4178KBDA
TE Connectivity Passive Product
H4178KBYA
TE Connectivity Passive Product
H4178KBZA
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H4178KDYA
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TE Connectivity Passive Product
H417K4BCA
TE Connectivity Passive Product
LFE2-12E-6T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-L1FGG676I
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C8
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGXEA5N1F45C2LN
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
5SGXMA7H2F35I3N
Intel
XC6SLX16-3CSG225I
Xilinx Inc.
A54SX16A-2TQG100I
Microsemi Corporation