casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H418R7BYA
Número da peça de fabricante | H418R7BYA |
---|---|
Número da peça futura | FT-H418R7BYA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H418R7BYA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 18.7 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±15ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H418R7BYA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H418R7BYA-FT |
H416K2DYA
TE Connectivity Passive Product
H416K5BCA
TE Connectivity Passive Product
H416K5BDA
TE Connectivity Passive Product
H416K5BYA
TE Connectivity Passive Product
H416K5BZA
TE Connectivity Passive Product
H416K9BCA
TE Connectivity Passive Product
H416K9BDA
TE Connectivity Passive Product
H416K9BYA
TE Connectivity Passive Product
H416K9BZA
TE Connectivity Passive Product
H416K9DYA
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel