casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H418R2BZA
Número da peça de fabricante | H418R2BZA |
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Número da peça futura | FT-H418R2BZA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H418R2BZA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 18.2 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H418R2BZA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H418R2BZA-FT |
H416K2BYA
TE Connectivity Passive Product
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
EP1K10TC100-3N
Intel
EP1K50FC256-3
Intel
XC2V1500-5BG575I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FF1761C
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX24-PLG84
Microsemi Corporation
EP2SGX90FF1508C4N
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