casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H418R2BYA
Número da peça de fabricante | H418R2BYA |
---|---|
Número da peça futura | FT-H418R2BYA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H418R2BYA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 18.2 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±15ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H418R2BYA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H418R2BYA-FT |
H416K2BDA
TE Connectivity Passive Product
H416K2BYA
TE Connectivity Passive Product
H416K2BZA
TE Connectivity Passive Product
H416K2DCA
TE Connectivity Passive Product
H416K2DYA
TE Connectivity Passive Product
H416K5BCA
TE Connectivity Passive Product
H416K5BDA
TE Connectivity Passive Product
H416K5BYA
TE Connectivity Passive Product
H416K5BZA
TE Connectivity Passive Product
H416K9BCA
TE Connectivity Passive Product
AGLN125V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
APA075-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
5SGXMA9N2F45C2N
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
XC6VLX240T-1FF784I
Xilinx Inc.
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX066H2F34E2SG
Intel
5AGXMA1D4F31C5N
Intel