casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H417R4BYA
Número da peça de fabricante | H417R4BYA |
---|---|
Número da peça futura | FT-H417R4BYA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H417R4BYA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 17.4 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±15ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H417R4BYA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H417R4BYA-FT |
H415R4BDA
TE Connectivity Passive Product
H415R4BYA
TE Connectivity Passive Product
H415R4BZA
TE Connectivity Passive Product
H415R4DYA
TE Connectivity Passive Product
H415R8BCA
TE Connectivity Passive Product
H415R8BDA
TE Connectivity Passive Product
H415R8BYA
TE Connectivity Passive Product
H415R8BZA
TE Connectivity Passive Product
H415RBCA
TE Connectivity Passive Product
H415RBDA
TE Connectivity Passive Product
EX64-TQ64
Microsemi Corporation
A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16E144A7N
Intel
5SEEBH40C4N
Intel
XC6VHX380T-2FF1923CES9945
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FF676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA3H3F35C2N
Intel