casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H416R2BYA
Número da peça de fabricante | H416R2BYA |
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Número da peça futura | FT-H416R2BYA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H416R2BYA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 16.2 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±15ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H416R2BYA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H416R2BYA-FT |
H4150KBDA
TE Connectivity Passive Product
H4150KBZA
TE Connectivity Passive Product
H4150RBCA
TE Connectivity Passive Product
H4150RBDA
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H4150RBYA
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H4150RBZA
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H4150RDZA
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H4154KBCA
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H4154KBYA
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EP1K30TC144-3
Intel
XCVU065-2FFVC1517I
Xilinx Inc.
XC3S400-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3P1000-FG484T
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXEA9K2H40I3N
Intel
EP3SL150F1152C3
Intel
A40MX02-1PL44
Microsemi Corporation