casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H4169RBDA
Número da peça de fabricante | H4169RBDA |
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Número da peça futura | FT-H4169RBDA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H4169RBDA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 169 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H4169RBDA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H4169RBDA-FT |
H414KBCA
TE Connectivity Passive Product
H414KBDA
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H414KBYA
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H414KBZA
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H414R3BCA
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H414R3BDA
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H414R3BYA
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H414R3BZA
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H414R7BCA
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX75-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC2V250-4FGG456C
Xilinx Inc.
APA600-FG676
Microsemi Corporation
5SGXEABK3H40C2LN
Intel
XC2VP4-6FF672C
Xilinx Inc.
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40E2SG
Intel
EP1S10F780C6
Intel
5SGXMA3H2F35I2N
Intel