casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H411R8BZA
Número da peça de fabricante | H411R8BZA |
---|---|
Número da peça futura | FT-H411R8BZA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H411R8BZA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 11.8 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H411R8BZA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H411R8BZA-FT |
H891KFYA
TE Connectivity Passive Product
H891KFZA
TE Connectivity Passive Product
H893R1BYA
TE Connectivity Passive Product
H893R1BZA
TE Connectivity Passive Product
H8953RBDA
TE Connectivity Passive Product
H8953RDYA
TE Connectivity Passive Product
H8953RDZA
TE Connectivity Passive Product
H895K3DYA
TE Connectivity Passive Product
H895K3DZA
TE Connectivity Passive Product
H897R6BYA
TE Connectivity Passive Product
XA3S200-4TQG144Q
Xilinx Inc.
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100
Microsemi Corporation
A1440A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXMA4K2F35C2N
Intel
XC5VFX70T-1FF665CES
Xilinx Inc.
LFXP20E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHC-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1020I6N
Intel