casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H411R8BZA
Número da peça de fabricante | H411R8BZA |
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Número da peça futura | FT-H411R8BZA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H411R8BZA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 11.8 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H411R8BZA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H411R8BZA-FT |
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XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
A3P400-1PQG208
Microsemi Corporation
A54SX72A-FPQ208
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-5QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-2
Intel
EPF10K130EFC672-2X
Intel
EP2S30F484C5
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
5CGTFD9C5F23I7N
Intel
EPF10K30BC356-3
Intel