casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H411R8BDA
Número da peça de fabricante | H411R8BDA |
---|---|
Número da peça futura | FT-H411R8BDA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H411R8BDA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 11.8 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H411R8BDA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H411R8BDA-FT |
H890K9DZA
TE Connectivity Passive Product
H891KFDA
TE Connectivity Passive Product
H891KFYA
TE Connectivity Passive Product
H891KFZA
TE Connectivity Passive Product
H893R1BYA
TE Connectivity Passive Product
H893R1BZA
TE Connectivity Passive Product
H8953RBDA
TE Connectivity Passive Product
H8953RDYA
TE Connectivity Passive Product
H8953RDZA
TE Connectivity Passive Product
H895K3DYA
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2-256HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600E-7FG900I
Xilinx Inc.
10AX022C3U19I2LG
Intel
5SGXEA3K3F35C2LN
Intel
AGL125V5-CSG196
Microsemi Corporation
EP3CLS150F780I7
Intel
EPF10K100ABC356-3N
Intel
EP20K160EQC208-1X
Intel