casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H411K3BZA
Número da peça de fabricante | H411K3BZA |
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Número da peça futura | FT-H411K3BZA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H411K3BZA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 11.3 kOhms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H411K3BZA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H411K3BZA-FT |
MPR20H12KJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20H15KJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20H1K0J
TE Connectivity Passive Product
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MPR20C220RJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20C33RJ
TE Connectivity Passive Product
M1A3PE1500-FG484I
Microsemi Corporation
EP3C5M164C7N
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
XC5VLX110T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6F23C7N
Intel
10AX115N4F45I3SG
Intel
10AX115U4F45I3SGE2
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K100EQI240-3
Intel