casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H410K2BZA
Número da peça de fabricante | H410K2BZA |
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Número da peça futura | FT-H410K2BZA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H410K2BZA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 10.2 kOhms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H410K2BZA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H410K2BZA-FT |
H8909KDZA
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
AT40K20LV-3CQC
Microchip Technology
EP4CGX30BF14C8
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Xilinx Inc.
XC6VSX315T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQ176I
Microsemi Corporation
EP20K100FC324-1
Intel