casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H410K2BZA
Número da peça de fabricante | H410K2BZA |
---|---|
Número da peça futura | FT-H410K2BZA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H410K2BZA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 10.2 kOhms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H410K2BZA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H410K2BZA-FT |
H8909KDZA
TE Connectivity Passive Product
H8909RBYA
TE Connectivity Passive Product
H8909RBZA
TE Connectivity Passive Product
H8909RDCA
TE Connectivity Passive Product
H8909RDYA
TE Connectivity Passive Product
H890K9BCA
TE Connectivity Passive Product
H890K9BDA
TE Connectivity Passive Product
H890K9BYA
TE Connectivity Passive Product
H890K9BZA
TE Connectivity Passive Product
H890R9BYA
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16U484A7N
Intel
EP2AGX45DF25C4N
Intel
10AX048K2F35E2LG
Intel
5SGSMD8N3F45I4
Intel
XC5VLX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP1K30QC208-2
Intel