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H11G2M Image

ON Semiconductor H11G2M

Número da peça MFG
H11G2M
Quantidade disponível
84840 Peças
Preço de referência
USD 0.896
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
ON Semiconductor
Descrição breve
- OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Optoisoladores - transistor, saída fotovoltaica
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
H11G2M.pdf
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H11G2M Especificações

Número da peça de fabricante H11G2M
Número da peça futura FT-H11G2M
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
H11G2M Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Número de canais 1
Tensão - Isolamento 4170Vrms
Taxa de Transferência Atual (Min) 1000% @ 10mA
Taxa de Transferência Atual (Max) -
Ligar / desligar o tempo (Typ) 5µs, 100µs
Tempo de subida / queda (Typ) -
Tipo de entrada DC
Tipo de saída Darlington with Base
Tensão - Saída (máx.) 80V
Corrente - Saída / Canal -
Voltagem - Avanço (Vf) (Typ) 1.3V
Corrente - DC Forward (If) (Max) 60mA
Saturação Vce (Max) 1V
Temperatura de operação -40°C ~ 100°C
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / caso 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 6-DIP
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
H11G2M Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição H11G2M-FT

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