casa / produtos / Isoladores / Optoisoladores - transistor, saída fotovoltaica / H11B3M-V
Número da peça de fabricante | H11B3M-V |
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Número da peça futura | FT-H11B3M-V |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
H11B3M-V Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Número de canais | 1 |
Tensão - Isolamento | 5000Vrms |
Taxa de Transferência Atual (Min) | 100% @ 1mA |
Taxa de Transferência Atual (Max) | - |
Ligar / desligar o tempo (Typ) | 25µs, 18µs |
Tempo de subida / queda (Typ) | - |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de saída | Darlington with Base |
Tensão - Saída (máx.) | 55V |
Corrente - Saída / Canal | - |
Voltagem - Avanço (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturação Vce (Max) | 1V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 100°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-DIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11B3M-V Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H11B3M-V-FT |
CNY17F4SR2VM_F132
ON Semiconductor
CNY17F4SVM
ON Semiconductor
H11AA13S
ON Semiconductor
H11AA13SD
ON Semiconductor
H11AA4SDM
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MCT5201SR2M
ON Semiconductor
MCT2ESM
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MCT2ESR2VM
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HMHAA280
ON Semiconductor
HMA121CR3V-NF098
ON Semiconductor
LCMXO640E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
EP4CGX150CF23C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C2LN
Intel
XC5VLX85T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA7H4F35I3G
Intel
EP20K200RC208-1V
Intel
EP1SGX40GF1020I6
Intel