casa / produtos / Isoladores / Optoisoladores - transistor, saída fotovoltaica / H11B2M-V
Número da peça de fabricante | H11B2M-V |
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Número da peça futura | FT-H11B2M-V |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
H11B2M-V Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Número de canais | 1 |
Tensão - Isolamento | 5000Vrms |
Taxa de Transferência Atual (Min) | 200% @ 1mA |
Taxa de Transferência Atual (Max) | - |
Ligar / desligar o tempo (Typ) | 25µs, 18µs |
Tempo de subida / queda (Typ) | - |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de saída | Darlington with Base |
Tensão - Saída (máx.) | 55V |
Corrente - Saída / Canal | - |
Voltagem - Avanço (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturação Vce (Max) | 1V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 100°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-DIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11B2M-V Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H11B2M-V-FT |
CNY17F3SR2VM_F132
ON Semiconductor
CNY17F4SM
ON Semiconductor
CNY17F4SR2VM_F132
ON Semiconductor
CNY17F4SVM
ON Semiconductor
H11AA13S
ON Semiconductor
H11AA13SD
ON Semiconductor
H11AA4SDM
ON Semiconductor
MCT5201SR2M
ON Semiconductor
MCT2ESM
ON Semiconductor
MCT2ESR2VM
ON Semiconductor
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG900I
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256M
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-2VQG100
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
A40MX04-3PL44I
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FFG676I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation