casa / produtos / Isoladores / Optoisoladores - transistor, saída fotovoltaica / H11A3M-V
Número da peça de fabricante | H11A3M-V |
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Número da peça futura | FT-H11A3M-V |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
H11A3M-V Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Número de canais | 1 |
Tensão - Isolamento | 5000Vrms |
Taxa de Transferência Atual (Min) | 20% @ 10mA |
Taxa de Transferência Atual (Max) | - |
Ligar / desligar o tempo (Typ) | 3µs, 3µs |
Tempo de subida / queda (Typ) | - |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de saída | Transistor with Base |
Tensão - Saída (máx.) | 80V |
Corrente - Saída / Canal | - |
Voltagem - Avanço (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturação Vce (Max) | 400mV |
Temperatura de operação | -55°C ~ 110°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-DIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11A3M-V Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H11A3M-V-FT |
4N273SD
ON Semiconductor
4N27FM
ON Semiconductor
4N27FR2M
ON Semiconductor
4N27FR2VM
ON Semiconductor
4N293S
ON Semiconductor
4N293SD
ON Semiconductor
4N29S
ON Semiconductor
4N29SD
ON Semiconductor
CNY172SVM
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CNY17F2SR2M_F132
ON Semiconductor
XC7S6-1FTGB196C
Xilinx Inc.
XC7A12T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
M2GL060TS-FCSG325
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A3PN010-2QNG48I
Microsemi Corporation
EP4CE15M9C7N
Intel
5SGXMA5N2F45I2N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
5SGXMA5K2F35C1N
Intel
AGL125V2-FGG144T
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG100M
Microsemi Corporation