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GT60N321(Q) Image

Toshiba Semiconductor and Storage GT60N321(Q)

Número da peça MFG
GT60N321(Q)
Quantidade disponível
27350 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição breve
- IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - IGBTs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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GT60N321(Q) Especificações

Número da peça de fabricante GT60N321(Q)
Número da peça futura FT-GT60N321(Q)
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
GT60N321(Q) Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo IGBT -
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) 1000V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) 60A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) 120A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A
Potência - Max 170W
Energia de comutação -
Tipo de entrada Standard
Carga do Portão -
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C 330ns/700ns
Condição de teste -
Tempo de Recuperação Reversa (trr) 2.5µs
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / caso TO-3PL
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-3P(LH)
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GT60N321(Q) Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição GT60N321(Q)-FT

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