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GT50J121(Q) Image

Toshiba Semiconductor and Storage GT50J121(Q)

Número da peça MFG
GT50J121(Q)
Quantidade disponível
27800 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição breve
- IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - IGBTs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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GT50J121(Q) Especificações

Número da peça de fabricante GT50J121(Q)
Número da peça futura FT-GT50J121(Q)
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
GT50J121(Q) Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo IGBT -
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) 600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) 50A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) 100A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
Potência - Max 240W
Energia de comutação 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Tipo de entrada Standard
Carga do Portão -
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C 90ns/300ns
Condição de teste 300V, 50A, 13 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) -
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / caso TO-3PL
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-3P(LH)
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GT50J121(Q) Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição GT50J121(Q)-FT

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