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Toshiba Semiconductor and Storage GT10J312(Q)

Name: GT10J312(Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: GT10J312(Q)
Availability: InStock
Rating: 4.8 (109 reviews)

Número da peça MFG: GT10J312(Q)

Quantidade disponível: 95310 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: - IGBT 600V 10A 60W TO220SM

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - IGBTs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: GT10J312(Q).pdf

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GT10J312(Q) Especificações

Número da peça de fabricante	GT10J312(Q)
Número da peça futura	FT-GT10J312(Q)
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
GT10J312(Q) Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo IGBT	-
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max)	600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max)	10A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	20A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Potência - Max	60W
Energia de comutação	-
Tipo de entrada	Standard
Carga do Portão	-
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C	400ns/400ns
Condição de teste	300V, 10A, 100 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr)	200ns
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220SM
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GT10J312(Q) Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	GT10J312(Q)-FT

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