casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / GSXD080A006S1-D3
Número da peça de fabricante | GSXD080A006S1-D3 |
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Número da peça futura | FT-GSXD080A006S1-D3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GSXD080A006S1-D3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 2 Independent |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 80A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 80A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 60V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-227 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSXD080A006S1-D3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GSXD080A006S1-D3-FT |
DGSK20-025A
IXYS
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DSEI2X61-06P
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SS150TC60110
IXYS-RF
SS150TI60110
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SS275TA12205
IXYS-RF
SS275TC12205
IXYS-RF
XC4052XL-1HQ304C
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Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FGG484C
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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EP3SE80F1152I3
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LFE2M50E-6F484I
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LFE2-50E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation