casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GSIB660L-5700E3/45
Número da peça de fabricante | GSIB660L-5700E3/45 |
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Número da peça futura | FT-GSIB660L-5700E3/45 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GSIB660L-5700E3/45 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2.8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GSIB-5S |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GSIB-5S |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSIB660L-5700E3/45 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GSIB660L-5700E3/45-FT |
GBU6DL-5302E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-5302M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-5302M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-7005E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-7005M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6GL-6130E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6GL-6130M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6J-1E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6J-1M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6J-5410M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS20XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208
Microsemi Corporation
EP20K160EFI484-2X
Intel
EP3SL200H780C4L
Intel
EP3C5E144C7
Intel
A40MX02-3PLG44
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F40I3LG
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel