casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GSIB660-E3/45
Número da peça de fabricante | GSIB660-E3/45 |
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Número da peça futura | FT-GSIB660-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GSIB660-E3/45 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2.8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GSIB-5S |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GSIB-5S |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSIB660-E3/45 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GSIB660-E3/45-FT |
PB5010-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
PB5008-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-100MT160P-P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40MT160P-P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70MT160P-P
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC1005-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC1005/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC101-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC102-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC104-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel