casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GSIB2580-5402E3/45
Número da peça de fabricante | GSIB2580-5402E3/45 |
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Número da peça futura | FT-GSIB2580-5402E3/45 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GSIB2580-5402E3/45 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 12.5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GSIB-5S |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GSIB-5S |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSIB2580-5402E3/45 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GSIB2580-5402E3/45-FT |
GBU6DL-5302E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-5302E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-5302M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-5302M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-7005E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-7005M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6GL-6130E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6GL-6130M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6J-1E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6J-1M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX1000-1FG484
Microsemi Corporation
EP3C16U256I7
Intel
5SGXMA4K2F40C2N
Intel
5SGXMA7N1F45I2N
Intel
XC4VLX60-11FF1148C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-11FFG672I
Xilinx Inc.
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHC-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C5N
Intel