casa / produtos / Sensores, Transdutores / Sensores Ópticos - Fotoelétrico, Industrial / GSE6-N6312
Número da peça de fabricante | GSE6-N6312 |
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Número da peça futura | FT-GSE6-N6312 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | G6 |
GSE6-N6312 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Método de Detecção | Through-Beam |
Distância de detecção | 590.551" (15m) |
Tensão - fonte | 10V ~ 30V |
Tempo de resposta | 500µs |
Configuração de saída | NPN |
Método de Conexão | Cable with Connector |
Proteção de entrada | IP67 |
Comprimento do cabo | 11.81" (300.00mm) |
Fonte de luz | Red (650nm) |
Tipo de ajuste | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 55°C (TA) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSE6-N6312 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GSE6-N6312-FT |
GRTE18-P1142
SICK, Inc.
GRTE18-P1147
SICK, Inc.
GRTE18-P1162
SICK, Inc.
GRTE18-P1167
SICK, Inc.
GRTE18-P2412
SICK, Inc.
GRTE18-P2417
SICK, Inc.
GRTE18-P2442
SICK, Inc.
GRTE18-P2447
SICK, Inc.
GRTE18-P2462
SICK, Inc.
GRTE18-P2467
SICK, Inc.
XA6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
M7AFS600-1FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S30F672C4
Intel
EP4S100G4F45I2
Intel
XC2VP2-5FF672C
Xilinx Inc.
A54SX16A-2TQG100
Microsemi Corporation
EP20K60EBC356-2X
Intel
EP4SGX110HF35I3N
Intel
EP4SGX530HH35C4
Intel