casa / produtos / Sensores, Transdutores / Sensores Ópticos - Fotoelétrico, Industrial / GSE6-N1112
Número da peça de fabricante | GSE6-N1112 |
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Número da peça futura | FT-GSE6-N1112 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | G6 |
GSE6-N1112 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Método de Detecção | Through-Beam |
Distância de detecção | 0.394" (10mm) |
Tensão - fonte | 10V ~ 30V |
Tempo de resposta | 200µs |
Configuração de saída | NPN - Dark-ON/Light-ON |
Método de Conexão | Cable |
Proteção de entrada | IP67, IP69K |
Comprimento do cabo | 78.74" (2m) |
Fonte de luz | Red (650nm) |
Tipo de ajuste | Adjustable, Potentiometer |
Temperatura de operação | -10°C ~ 50°C (TA) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSE6-N1112 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GSE6-N1112-FT |
GRTE18-N1142
SICK, Inc.
GRTE18-N1147
SICK, Inc.
GRTE18-N1162
SICK, Inc.
GRTE18-N1167
SICK, Inc.
GRTE18-N2412
SICK, Inc.
GRTE18-N2417
SICK, Inc.
GRTE18-N2442
SICK, Inc.
GRTE18-N2447
SICK, Inc.
GRTE18-N2462
SICK, Inc.
GRTE18-N2467
SICK, Inc.
EPF6024ATC144-3
Intel
LFEC6E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA6SLX25-2FTG256Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
XA7A50T-2CPG236I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3FT324I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB5H6F35C6N
Intel