casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / GSD2004C-HE3-18
Número da peça de fabricante | GSD2004C-HE3-18 |
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Número da peça futura | FT-GSD2004C-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GSD2004C-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 240V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 225mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 240V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSD2004C-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GSD2004C-HE3-18-FT |
V50100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60200PG-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V80100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
52CPQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR3020WT
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-05-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-04-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54S-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel