casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / GPA030A135MN-FDR
Número da peça de fabricante | GPA030A135MN-FDR |
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Número da peça futura | FT-GPA030A135MN-FDR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GPA030A135MN-FDR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1350V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 60A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 90A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A |
Potência - Max | 329W |
Energia de comutação | 4.4mJ (on), 1.18mJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 300nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 30ns/145ns |
Condição de teste | 600V, 30A, 5 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 450ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3PN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GPA030A135MN-FDR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GPA030A135MN-FDR-FT |
IRGP6690DPBF
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