casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / GPA015A120MN-ND
Número da peça de fabricante | GPA015A120MN-ND |
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Número da peça futura | FT-GPA015A120MN-ND |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GPA015A120MN-ND Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | NPT and Trench |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 30A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 45A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 15A |
Potência - Max | 212W |
Energia de comutação | 1.61mJ (on), 530µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 210nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 25ns/166ns |
Condição de teste | 600V, 15A, 10 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 320ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3PN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GPA015A120MN-ND Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GPA015A120MN-ND-FT |
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