casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / GP2D010A120B
Número da peça de fabricante | GP2D010A120B |
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Número da peça futura | FT-GP2D010A120B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Amp+™ |
GP2D010A120B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 20µA @ 1200V |
Capacitância @ Vr, F | 635pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247-2 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2D010A120B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GP2D010A120B-FT |
DSEP15-06A
IXYS
DSEP15-06B
IXYS
DSEP29-06B
IXYS
DSEP29-12A
IXYS
DSEP8-06A
IXYS
DSEP8-06B
IXYS
DSS10-0045B
IXYS
DSS10-006A
IXYS
DSS10-01A
IXYS
DSS16-01A
IXYS
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel