casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / GP2D010A060A
Número da peça de fabricante | GP2D010A060A |
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Número da peça futura | FT-GP2D010A060A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Amp+™ |
GP2D010A060A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 30A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.65V @ 10A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 40µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | 527pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-2 |
Temperatura de funcionamento - junção | -50°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2D010A060A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GP2D010A060A-FT |
DSEI8-06A
IXYS
DGS10-018A
IXYS
DGS10-025A
IXYS
DGS10-030A
IXYS
DGS20-018A
IXYS
DGS20-025A
IXYS
DGS4-025A
IXYS
DHG10I1800PA
IXYS
DMA10I1600PA
IXYS
DNA30E2200PA
IXYS
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel