casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / GP1006HC0G
Número da peça de fabricante | GP1006HC0G |
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Número da peça futura | FT-GP1006HC0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
GP1006HC0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 800V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP1006HC0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GP1006HC0G-FT |
MBRF20L120CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF25100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF25100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF25150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF25150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF2535CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF2535CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF2545CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF2545CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF2550CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
Intel
5CEBA2F17C7N
Intel
XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I5
Intel
EP4CE115F29I7N
Intel
EP3SL70F780C4
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel
EP20K200EQI208-3
Intel