casa / produtos / Sensores, Transdutores / Transdutores Atuais / GO 30-SMS
Número da peça de fabricante | GO 30-SMS |
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Número da peça futura | FT-GO 30-SMS |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | GO-SMS |
GO 30-SMS Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Para medição | AC/DC |
Tipo de sensor | Hall Effect |
Sensores de Corrente | 30A |
Número de canais | 1 |
Saída | Ratiometric, Voltage |
Sensibilidade | 26.7mV/A |
Freqüência | DC ~ 300kHz |
Linearidade | ±0.3% |
Precisão | ±1.3% |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Tempo de resposta | 2µs |
Corrente - Fornecimento (máx.) | 25mA |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TA) |
Polarização | Bidirectional |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
- | |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GO 30-SMS Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GO 30-SMS-FT |
DRV421RTJT
Texas Instruments
DRV421RTJR
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SI8501-C-IS
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A54SX32-TQ144M
Microsemi Corporation
A3P400-1FGG256I
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DCF256C8G
Intel
A1020B-PLG44I
Microsemi Corporation
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40E3SG
Intel
EP3SE110F780I4
Intel