casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / GHXS050A060S-D3
Número da peça de fabricante | GHXS050A060S-D3 |
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Número da peça futura | FT-GHXS050A060S-D3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GHXS050A060S-D3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 2 Independent |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 50A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 50A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 600V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-227 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GHXS050A060S-D3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GHXS050A060S-D3-FT |
MDD172-08N1
IXYS
MDD172-12N1
IXYS
MDD172-14N1
IXYS
MDD172-16N1
IXYS
MDD172-18N1
IXYS
MDD200-14N1
IXYS
MDD200-16N1
IXYS
MDD200-18N1
IXYS
DD340N16SHPSA1
Infineon Technologies
DD180N16SHPSA1
Infineon Technologies
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel