casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ9V1B-E3-08
Número da peça de fabricante | GDZ9V1B-E3-08 |
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Número da peça futura | FT-GDZ9V1B-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ9V1B-E3-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolerância | ±2% |
Potência - Max | 200mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 30 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500nA @ 6V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-323 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ9V1B-E3-08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GDZ9V1B-E3-08-FT |
GDZ36B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ36B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ36B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ36B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP3SE50F484C4N
Intel
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I2SG
Intel
5AGXMB7G6F35C6N
Intel