casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ2V0B-HE3-18
Número da peça de fabricante | GDZ2V0B-HE3-18 |
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Número da peça futura | FT-GDZ2V0B-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ2V0B-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 2V |
Tolerância | ±4% |
Potência - Max | 200mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 120µA @ 500mV |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-323 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ2V0B-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GDZ2V0B-HE3-18-FT |
BZX384C75-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C7V5-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C7V5-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C7V5-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C7V5-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP1K30TI144-2
Intel
XC4062XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256M
Microsemi Corporation
EP2S30F484C3N
Intel
5SGXEA7N1F40I2N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX485T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
XC6VLX365T-L1FF1156I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
5AGXMB5G4F35C5N
Intel