casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ13B-HE3-18
Número da peça de fabricante | GDZ13B-HE3-18 |
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Número da peça futura | FT-GDZ13B-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ13B-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 13V |
Tolerância | ±4% |
Potência - Max | 200mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 37 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 10V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-323 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ13B-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GDZ13B-HE3-18-FT |
BZX384C43-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C47-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C47-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C47-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C47-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C4V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C4V3-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C4V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1AFS1500-FG256I
Microsemi Corporation
LAE3-17EA-6FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7M15C8N
Intel
XA6SLX16-2CSG225Q
Xilinx Inc.
XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9C7F23C8N
Intel