casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ11B-G3-18
Número da peça de fabricante | GDZ11B-G3-18 |
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Número da peça futura | FT-GDZ11B-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ11B-G3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 11V |
Tolerância | ±4% |
Potência - Max | 200mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 30 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 8V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-323 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ11B-G3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GDZ11B-G3-18-FT |
BZX384C3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V3-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V3-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V3-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V6-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V6-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V6-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V9-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
XC2S100E-6PQ208C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-1VQG100M
Microsemi Corporation
10CL025YU256C6G
Intel
5SGXEA9N2F45C2LN
Intel
XC4013E-4HQ208I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160M
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation