casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / GDP50P120B
Número da peça de fabricante | GDP50P120B |
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Número da peça futura | FT-GDP50P120B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Amp+™ |
GDP50P120B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 50A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 50A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitância @ Vr, F | 2984pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247-2 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 135°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDP50P120B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GDP50P120B-FT |
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IXYS
DSA30I100PA
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XC7A100T-2FTG256C
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XC6SLX100-3FGG484I
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A3P030-1VQG100I
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Microchip Technology
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
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LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC208-3
Intel