casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / GDP30P120B
Número da peça de fabricante | GDP30P120B |
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Número da peça futura | FT-GDP30P120B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Amp+™ |
GDP30P120B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 81A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 30A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitância @ Vr, F | 1790pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247-2 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 135°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDP30P120B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GDP30P120B-FT |
DPG15I200PA
IXYS
DPG15I300PA
IXYS
DPG30I300PA
IXYS
DSA15I45PA
IXYS
DSA30I100PA
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DSA30I150PA
IXYS
DSB20I15PA
IXYS
DSEP15-06A
IXYS
DSEP15-06B
IXYS
DSEP29-06B
IXYS
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel